很多东西，实验室可以制备出来，但是无法工厂大批量生产，因为工厂的环境和实验室不同，如果直接复制，那带来的是成本的飙升。
1871年，德米特里-门捷列夫根据自己的元素周期表，预测了镓的存在，1875年，由保罗-德布瓦博德兰发现，又到了1932年，乔治-赫伯特-琼斯带自己实验室的人，在高温下降将镓和氨气反应，支撑了氮化镓材料，发现了这种材料惊人的性能。
第一个优点就是热稳定性，哪怕在高温环境中，依旧能保持稳定的性能，这也就意味着，它更耐用，就像是后世的氮化镓充电器，说明书上就有，工作的时候会发热，别怕，正常现象。
其次，就是优秀的电子迁移率和电子饱和速度，这些指标是硅等传统材料的十倍以上，这样一来，在制造高频功率器件的时候，有很大的用处。
简单来说，就是手机里的射频元件、5G里的射频功率放大器，还有……主动相控阵雷达上的T/R组件等等。
再次，就是它的能隙很宽，传统的第一代半导体硅，只有1.1eV，二代材料硒化镉也不过1.8eV，而氮化镓足足达到了3.4eV，这样可以减少材料中电子和空穴的复合几率，从而获得卓越的光电特性，比如说制造激光二极管，一个小小的灯泡一样的东西，就能产生405纳米的紫光激光。
总之，氮化镓有着各种优秀的特性，谁掌握了它，谁就能掌握未来电子技术！
“目前，国际上最主要的生产氮化镓的方式是金属有机化合物气相沉积技术，也就是MOCVD，这种技术在六十年代被提出，到现在，差不多已经趋近成熟和完善了，用TMGa做为镓源，用NH3为反应气体，保护气是高纯度的氮气，在高温条件下，就能在蓝宝石衬底上成功制备出薄层氮化镓。”
张同指着其中一台设备说道：“我们最开始制备氮化镓，就是用这个方式，但是，实验过后，我们就放弃了。”
“为什么？”
“太贵。”
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